[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510658801.1 | 申请日： | 2015-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN105514165B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 郑恩爱;崔正达;中西俊郎;金有彬;南甲镇;李同规;焦广泛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基板，该基板具有逻辑器件区域和邻近逻辑器件区域的输入/输出(I/O)器件区域，该逻辑器件区域上包括逻辑器件，该I/O器件区域上包括I/O器件。在逻辑器件区域上的第一鳍型场效应晶体管(FinFET)包括从基板突出的第一半导体鳍以及三栅结构，该三栅结构具有第一栅介电层和在第一栅介电层上的第一栅电极。在I/O器件区域上的第二FinFET包括从基板突出的第二半导体鳍以及双栅结构，该双栅结构具有第二栅介电层和在第二栅介电层上的第二栅电极。第一和第二栅介电层具有不同的厚度。相关的器件和制造方法也被讨论。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板；在所述基板上具有三栅结构的第一鳍型场效应晶体管；以及在所述基板上具有双栅结构的第二鳍型场效应晶体管。
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