[发明专利]一种直接沉积于读出电路上的光电探测器及其制备方法有效
申请号: | 201510660346.9 | 申请日: | 2015-10-13 |
公开(公告)号: | CN105206701B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 肖恩·海因兹;王伟斌 | 申请(专利权)人: | 山西国惠光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 | 代理人: | 朱源,王勇 |
地址: | 030006 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明涉及光电探测器,具体是一种直接沉积于读出电路上的光电探测器及其制备方法。本发明解决了现有光电信号转换器件分辨率受限、制作成本高的问题。一种直接沉积于读出电路上的光电探测器,包括两组电极接触导体;第一组电极接触导体一一对应沉积于读出电路的各个像素单元的上表面;第二组电极接触导体一一对应沉积于读出电路的各个平面金属界面环的上表面;第一组电极接触导体的上表面沉积有底部载流子传输增强膜层;底部载流子传输增强膜层的上表面沉积有活性胶体量子点膜层;活性胶体量子点膜层的上表面沉积有顶部载流子传输增强膜层。本发明适用于光电探测领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 直接 沉积 读出 路上 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种直接沉积于读出电路上的光电探测器,其特征在于:包括两组电极接触导体;第一组电极接触导体一一对应沉积于读出电路的各个像素单元的上表面;第二组电极接触导体一一对应沉积于读出电路的各个平面金属界面环的上表面;第一组电极接触导体的上表面沉积有底部载流子传输增强膜层;底部载流子传输增强膜层的上表面沉积有活性胶体量子点膜层;活性胶体量子点膜层的上表面沉积有顶部载流子传输增强膜层;顶部载流子传输增强膜层的上表面和第二组电极接触导体的上表面共同覆盖有公共上电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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