[发明专利]半导体晶体管金属栅的集成工艺方法

摘要

本发明提供了一种半导体晶体管金属栅的集成工艺方法，采用多次沉积和剥离工艺，在不同器件区域形成了具有各种功函数的栅极叠层，各个栅极的功函数可以依照设计需求而定制，使得MOSFET的阈值电压可以按需调制；同时，本发明的方法与传统工艺完全兼容，在未大幅增加工艺复杂程度的前提下，能够简便、有效地制造具有各种功函数栅极的MOSFET器件。

主权项

1.一种半导体器件制造方法，其特征在于包括如下步骤：提供衬底；形成在所述衬底上的多个器件区域，其中至少包括第一器件区域，第二器件区域和第三器件区域；在多个器件区域分别形成源漏区域和虚设栅极堆栈；全面性沉积层间介质层，并通过平坦化工艺处理暴露出所述虚设栅极堆栈的顶面；去除所述虚设栅极堆栈，形成栅极凹槽；沉积高K栅极绝缘层和第一栅极材料层；形成图案化的第一光刻胶层，其仅暴露出所述第一器件区域；沉积第二栅极材料层，通过剥离工艺移除所述第一光刻胶层及位于其上的所述第二栅极材料层，使所述第二栅极材料层仅位于所述第一器件区域；形成图案化的第二光刻胶层，其仅暴露出所述第一器件区域和所述第二器件区域；沉积第三栅极材料层，通过剥离工艺移除所述第二光刻胶层及位于其上的所述第三栅极材料层，使所述第三栅极材料层仅位于所述第一器件区域和所述第二器件区域；沉积第四栅极材料层，并进行平坦化工艺处理，使所述第一栅极材料层、第二栅极材料层、第三栅极材料层和第四栅极材料层仅位于所述栅极凹槽之中。