[发明专利]一种电熔丝存储单元和电熔丝存储阵列在审
| 申请号： | 201510661896.2 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106601302A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 杨家奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电熔丝存储单元和电熔丝存储阵列，涉及半导体技术领域。包括电熔丝，所述电熔丝具有第一端和与所述第一端相对的第二端；第一晶体管，所述第一晶体管的漏极与所述电熔丝的所述第二端连接，所述第一晶体管的栅极连接读字线，所述第一晶体管的源极连接第一位线；第二晶体管，所述第二晶体管的漏极与所述电熔丝的所述第二端连接，所述第二晶体管的栅极连接熔烧字线。本发明实施例中的电熔丝存储单元通过在电熔丝和第二晶体管之间增加与读字线相连的NMOS晶体管传输门，使得读写分开，来达成限制流经读电流，使得读操作的次数不受限制,并且用新的读时序来提高电熔丝存储单元的读操作速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电熔丝 存储 单元 阵列 | ||
【主权项】：
一种电熔丝存储单元，包括：电熔丝，所述电熔丝具有第一端和与所述第一端相对的第二端；第一晶体管，所述第一晶体管的漏极与所述电熔丝的所述第二端连接，所述第一晶体管的栅极连接读字线，所述第一晶体管的源极连接第一位线；第二晶体管，所述第二晶体管的漏极与所述电熔丝的所述第二端连接，所述第二晶体管的栅极连接熔烧字线。
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