[发明专利]一种光学邻近效应修正模型的优化方法有效
| 申请号： | 201510662390.3 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105223771B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 江志兴;王伟斌;魏芳;吕煜坤;朱骏;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;H01L21/00 |
| 代理公司： | 31272 上海申新律师事务所 | 代理人： | 俞涤炯<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出的一种光学邻近效应修正模型的优化方法，选出焦距敏感图形，对焦距敏感图形使用严谨的光阻仿真器进行模拟获得其光阻高度数据，量测出临界尺寸优化光学邻近效应修正光学模型和光学邻近效应修正光阻模型，使得整个模型对由于三维效应而失效的图形有很好的预测能力，同时相对于严谨的光阻仿真器模型具有更快的速度，能满足32nm节点及更高节点整个版图设计的光学邻近效应修正和验证的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光学 邻近 效应 修正 模型 优化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光学邻近效应修正模型的优化方法，其特征在于，包括：/nS1：从初始的光学邻近效应修正模型和模型测试图形中选出焦距敏感图形；/nS2：对所述焦距敏感图形使用严谨的光阻仿真器进行模拟，获得所述焦距敏感图形光阻高度数据；/nS3：使用所述高度数据和扫描电子显微镜量测临界尺寸优化光学邻近效应修正光学模型和光学邻近效应修正光阻模型；/n所述优化光学邻近效应修正光学模型的特征包括：/n不同图形使用不同的光阻高度数据，对于焦距敏感图形使用严谨的光阻仿真器进行模拟获得其光阻高度，其它图形使用工艺中实际光阻厚度即不考虑光阻顶层损失；/n引入一个核函数来卷积垂直方向的光强，用来表征垂直扩散，其独立于横向扩散，与特定边界条件有关，这个特定边界条件可以用来表征来自显影的光阻损失；/n优化的目标值除了最小化临界尺寸模拟均方差还有光阻高度模拟均方差。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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