[发明专利]一种多重图形化掩膜层的结构及制作方法在审
| 申请号： | 201510663000.4 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105244259A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体良率提升领域，尤其涉及一种多重图形化掩膜层的结构，包括基板，用以形成衬底，硬质掩膜，用以提供刻蚀的操作表面。同时提供了一种多重图形化掩膜层的制作方法，沉积硬质掩膜和牺牲层。对牺牲层进行图形化后，沉积薄膜并刻蚀形成第一侧墙，再次沉积薄膜并刻蚀形成第二侧墙。最后去掉牺牲层，用刻蚀的方法修改侧墙的形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多重 图形 化掩膜层 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多重图形化掩膜层的结构，其特征在于，所述掩膜层包括，硬质掩膜，处于基板上方；侧墙，由牺牲层沉积并刻蚀形成，整体呈尖状，内部平尖而外部圆滑。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
