[发明专利]一种FinFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510663157.7 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105226099B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 黄秋铭 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件结构技术领域，尤其涉及一种FinFET器件及其制备方法，该FinFET器件主要包括源区、漏区和位于源区和漏区之间的鳍形沟道区，通过在FinFET衬底上制备源区、漏区及鳍形结构，刻蚀部分鳍形结构，通过外延生长的方法制备悬空的鳍形沟道，在外延生长的沟道结构的外围表面制备一高介电常数层和一金属材料层，形成悬空于FinFET衬底之上的全包围沟道，本技术方案有效制备了包括鳍形沟道的FinFET器件，该工艺简单易实施，且鳍形沟道被栅极包围住，有效消除了器件的漏场效应，同时抑制了器件的漏电及穿通问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一FinFET衬底，并于所述FinFET衬底之上制备源区、漏区以及位于所述源区和漏区之间的鳍形结构；覆盖一氧化物层于所述鳍形结构的外表面及所述FinFET衬底的上表面，并覆盖一氮化物层于所述氧化物层的上表面；去除所述鳍形结构两侧的氧化物层形成第一开口和第二开口；于所述第一开口和所述第二开口进行掺杂外延生长工艺；依次去除氮化物层、部分厚度的氧化物层及部分鳍形结构，形成悬空于所述FinFET衬底之上的沟道结构；于沟道外周依次沉积一高介电常数材质层和一金属材料层，形成悬空于FinFET衬底之上的全包围沟道；形成所述第一开口和所述第二开口前进行的步骤还包括：采用化学机械研磨工艺至所述鳍形结构露出。
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