[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201510665295.9 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105336732A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 杨硕;邵小娟;郑建森;徐宸科;卓佳利;朱学亮;刘建明;林文禹;陈圣昌 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/02;B23K26/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 半导体器件，从下至上包括待加工层、标示层和功能层，所述待加工层最终需通过隐形切割技术在切深位置加工，所述标示层为所述隐形切割的预切割道和实际切割道提供对比位置关系，所述功能层为半导体器件的功能部分。本发明藉由标示层在预定区域的发光，在隐形切割中提供定位标记，从而实现对隐形切割精度提供监控，有利于降低生产异常概率，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
半导体器件，从下至上包括待加工层、标示层和功能层，所述待加工层最终需通过隐形切割技术在切深位置加工，所述标示层为所述隐形切割的预切割道和实际切割道提供对比位置关系，所述功能层为半导体器件的功能部分。
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