[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510665802.9 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN106611708B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 张冬梅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有衬垫氧化物层和浮栅材料层；步骤S2：执行LDD离子注入，以在所述半导体衬底中预期形成源漏的区域中形成LDD离子注入区域；步骤S3：在所述浮栅材料层上形成隔离材料层、控制栅材料层和掩膜层，图案化所述掩膜层、所述控制栅材料层、所述隔离材料层和所述浮栅材料层，以在所述LDD离子注入区域的两侧形成若干相互间隔的栅极叠层；步骤S4：在所述栅极叠层的两侧执行源漏注入，以形成包围所述LDD离子注入区域的源漏。本发明所述方法可以提高半导体器件的性能，同时所述方法还可以保证有源区表面干净和粗糙。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有衬垫氧化物层和浮栅材料层；步骤S2：执行LDD离子注入，以在所述半导体衬底中预期形成源漏的区域中形成LDD离子注入区域；步骤S3：在所述浮栅材料层上形成隔离材料层、控制栅材料层和掩膜层，图案化所述掩膜层、所述控制栅材料层、所述隔离材料层和所述浮栅材料层，以在所述LDD离子注入区域的两侧形成若干相互间隔的栅极叠层；步骤S4：在所述栅极叠层的两侧执行源漏注入，以形成为所述LDD离子注入区域所包围的源漏。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510665802.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种调节鳍体形貌的方法
- 下一篇：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
