[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201510666535.7 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN106586946A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王伟;许继辉;郑超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有图案化的第一键合材料层；步骤S2在所述第一键合材料层的两侧形成分别形成凸出的第一密封环和第二密封环，其中，所述第一密封环和所述第二密封环与所述第一键合材料层之间均具有间隙；步骤S3提供顶部晶圆并与所述底部晶圆相接合。本发明具有以下优点(1)能够防止MEMS中键合材料环的外溢。(2)能够提高MEMS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有图案化的第一键合材料层；步骤S2：在所述第一键合材料层的两侧形成分别形成凸出的第一密封环和第二密封环，其中，所述第一密封环和所述第二密封环与所述第一键合材料层之间均具有间隙；步骤S3：提供顶部晶圆并与所述底部晶圆相接合。
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