[发明专利]衰减相移掩膜及其制造方法在审
| 申请号： | 201510672845.X | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN106597803A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 施维 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/32 | 分类号： | G03F1/32 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种衰减相移掩膜及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括提供透光基板，在所述透光基板上形成图形化的相移层，以及位于边缘区域的相移层上的遮光层；在所述遮光层表面形成不导电的氧化层。该衰减相移掩膜及其制造方法，通过将衰减相移掩膜表面导电的遮光层氧化成为不导电的氧化物，从而可以以避免衰减相移掩膜在特定的清洗机台中由于静电吸附导致的小颗粒黏附的缺陷问题，进而可以允许衰减相移掩膜在此清洗机台上继续清洗，提高机台利用率，而不必更换机台以及增加工艺复杂性和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 衰减 相移 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种衰减相移掩膜的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供透光基板，在所述透光基板上形成图形化的相移层，以及位于边缘区域的相移层上的遮光层；在所述遮光层表面形成不导电的氧化层。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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