[发明专利]电化学沉积法制备Cu2FeSnS4薄膜在审
| 申请号： | 201510672895.8 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105332026A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 周继承;刘涵坚;李红江;秦云龙;张哲 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C25D3/58 | 分类号： | C25D3/58;C25D5/50;H01L31/032 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光伏电池用黄锡矿结构铜铁锡硫(Cu2FeSnS4)薄膜的电化学沉积制备方法，即三元共沉积制备金属预制层并通过后续硫化退火形成Cu2FeSnS4薄膜，主要通过以下过程来实现：首先，按摩尔比CuCl2·2H2O∶FeCl2·4H2O∶SnCl2·2H2O＝2∶20∶1的原则依次称取试剂，同时配以一定量的柠檬酸三钠、酒石酸、D-山梨醇、抗坏血酸，将烧杯内溶液搅拌均匀，调节PH直至沉淀完全溶解，完成电解液的配置；然后采用恒电位沉积的方式电化学沉积得到铜铁锡金属预制层；最后，用高纯氩气作保护气体，用硫粉作为硫源，对铜铁锡金属预制层进行硫化退火，得到Cu2FeSnS4薄膜。该黄锡矿结构Cu2FeSnS4薄膜材料的电化学沉积制备方法反应时间短，温度低，操作简便，成本低廉，绿色无污染，适合Cu2FeSnS4薄膜材料的大规模产业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 电化学 沉积 法制 cu sub fesns 薄膜 | ||
【主权项】：
一种黄锡矿结构Cu2FeSnS4薄膜的电化学沉积制备方法，其特征在于，三元共沉积制备金属预制层，再通过硫化退火形成Cu2FeSnS4薄膜：按摩尔比CuCl2·2H2O∶FeCl2·4H2O∶SnCl2·2H2O＝2∶20∶1的原则称量，搅拌并溶解于超纯水，同时配以一定量的柠檬酸三钠、酒石酸、D‑山梨醇、抗坏血酸，调节PH直至沉淀完全溶解；采用含工作电极、对电极和参比电极的三电极电化学体系，以Mo作为工作电极、石墨作为对电极、甘汞电极作为参比电极，采用恒电位沉积的方式，沉积得到铜铁锡金属预制层；然后用硫粉作为硫源，在高纯氩气的保护下硫化退火得到Cu2FeSnS4薄膜。
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