[发明专利]虚拟金属结构及形成虚拟金属结构的方法有效
| 申请号： | 201510673273.7 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105529300B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | J·K·丘;高山 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 揭示用于在半导体晶圆上的晶粒之间形成虚拟金属结构的方法及其产生的装置。具体实施例可包括形成从半导体晶圆的基材延展至介于多个晶粒区之间的该半导体晶圆的顶端金属互连层的金属互连层，所述金属互连层的各个皆包括多个虚拟垂直互连进接口(VIA)及多条虚拟金属线，该多条虚拟金属线侧向连接各金属互连层内的该多个虚拟VIA，并且第一金属互连层内的多个虚拟VIA垂直连接该第一金属互连层内的多条虚拟金属线至第二金属互连层内的多条虚拟金属线，并且该第二金属互连层低于该第一金属互连层。 | ||
| 搜索关键词： | 虚拟 金属结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，包含：在半导体晶圆的基材之上及多个晶粒区之间形成第一金属互连层，该第一金属互连层包括第一多个虚拟垂直互连进接口(VIA)及第一多条虚拟金属线，其中，该第一多条虚拟金属线侧向连接该第一多个虚拟垂直互连进接口；在该第一金属互连层之上及该多个晶粒区之间形成第二金属互连层，该第二金属互连层包括第二多个虚拟垂直互连进接口及第二多条虚拟金属线，其中，该第二多个虚拟垂直互连进接口垂直连接该第一多条虚拟金属线与该第二多条虚拟金属线，并且该第二多条虚拟金属线侧向连接该第二多个虚拟垂直互连进接口；以及在形成该半导体晶圆的剩余金属互连层时，以交替顺序形成该第一金属互连层与该第二金属互连层的一或多个，其中，该第一多条虚拟金属线及该第二多条虚拟金属线的各个皆包括依第一方向延展的第一组该虚拟金属线及依第二方向延展的第二组该虚拟金属线，其中，通过该第一多条虚拟金属线形成的图型是与通过该第二多条虚拟金属线形成的图型不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司，未经格罗方德半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510673273.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
