[发明专利]薄膜场效应晶体管及其制作方法、液晶显示器在审
| 申请号： | 201510676895.5 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105161544A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 冯托 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/336;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜场效应晶体管，其包括：在基板(10)上的栅极金属层(20)；覆盖基板(10)和栅极金属层(20)的栅极绝缘层(30)；在栅极绝缘层(30)上且相互间隔的第一源极金属层(40a)和第一漏极金属层(40b)；在第一源极金属层(40a)和第一漏极金属层(40b)上的有源层(50)；其中，有源层(50)填充第一源极金属层(40a)和第一漏极金属层(40b)之间的间隔，并在间隔处形成沟道(510)；在有源层(50)上的分别位于沟道(510)两侧的第二源极金属层(60a)和第二漏极金属层(60b)；其中，第二源极金属层(60a)和第一源极金属层(40a)接触，第二漏极金属层(60b)和第一漏极金属层(40b)接触。本发明降低了薄膜场效应晶体管中的寄生电容Cgs。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 场效应 晶体管 及其 制作方法 液晶显示器 | ||
【主权项】：
一种薄膜场效应晶体管，其特征在于，包括：在基板(10)上的栅极金属层(20)；覆盖所述基板(10)和所述栅极金属层(20)的栅极绝缘层(30)；在所述栅极绝缘层(30)上且相互间隔的第一源极金属层(40a)和第一漏极金属层(40b)；在所述第一源极金属层(40a)和所述第一漏极金属层(40b)上的有源层(50)；其中，所述有源层(50)填充所述第一源极金属层(40a)和所述第一漏极金属层(40b)之间的间隔，并在所述间隔的所在位置处形成沟道(510)；在所述有源层(50)上的分别位于所述沟道(510)两侧的第二源极金属层(60a)和第二漏极金属层(60b)；其中，所述第二源极金属层(60a)和所述第一源极金属层(40a)接触，所述第二漏极金属层(60b)和所述第一漏极金属层(40b)接触。
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