[发明专利]一种光学传感器在审
申请号: | 201510678913.3 | 申请日: | 2015-10-19 |
公开(公告)号: | CN105244383A | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
发明(设计)人: | 郑造时;陈盈宪;徐文斌 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/101 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种光学传感器,包括一基板、位于基板上的一控制元件与一感光元件。该光学传感器还包括:一第一绝缘层,设置于控制元件的上方;一平坦层,设置于第一绝缘层的上方;一第一金属阻挡层,设置于平坦层的上方,其作为氢阻挡层以阻隔氢离子扩散进入控制元件;一第二绝缘层,设置于第一金属阻挡层的上方;一第二金属阻挡层,设置于第二绝缘层的上方;以及一PIN层,位于第二金属阻挡层的上方。相比于现有技术,本发明的光学传感器在第二金属阻挡层金属裸露位置增加上述第一金属阻挡层,从而利用第一金属阻挡层作为氢阻挡层来阻止氢离子扩散进入控制元件内,进而避免薄膜沉积时所使用的氢离子扩散并对薄膜晶体管的阈值电压造成不利影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 光学 传感器 | ||
【主权项】:
一种光学传感器,包括一基板、位于所述基板上的一控制元件与一感光元件,其特征在于,所述光学传感器还包括:一第一绝缘层,设置于所述控制元件的上方;一平坦层,设置于所述第一绝缘层的上方;一第一金属阻挡层,设置于所述平坦层的上方,所述第一金属阻挡层作为一氢阻挡层以阻隔氢离子扩散进入所述控制元件;一第二绝缘层,设置于所述第一金属阻挡层的上方;一第二金属阻挡层,设置于所述第二绝缘层的上方;以及一PIN层,位于所述第二金属阻挡层的上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的