[发明专利]一种LED芯片结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201510679865.X | 申请日： | 2015-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106601876A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 张宇 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/20;H01L33/32 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片结构的制作方法，包括以下步骤S1提供一蓝宝石衬底；S2采用激光从所述蓝宝石衬底背面照射并聚焦到所述蓝宝石衬底内部，在所述蓝宝石衬底内部形成气孔阵列；S3在所述蓝宝石衬底表面依次生长缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱发光层及P型氮化镓层；S4刻蚀所述P型氮化镓层及所述多量子阱发光层，形成凹陷区域，所述凹陷区域暴露出所述N型氮化镓层的部分表面；S5在所述P型氮化镓层表面制作P电极，在所述凹陷区域表面制作N电极，得到LED芯片结构。本发明的LED芯片结构中，由于所述气孔阵列的存在，不仅可以提高LED的出光效率，并且可以降低GaN外延层的应力，提高LED的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一蓝宝石衬底；S2：采用激光从所述蓝宝石衬底背面照射并聚焦到所述蓝宝石衬底内部，在所述蓝宝石衬底内部形成气孔阵列；S3：在所述蓝宝石衬底表面依次生长缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱发光层及P型氮化镓层；S4：刻蚀所述P型氮化镓层及所述多量子阱发光层，形成凹陷区域，所述凹陷区域暴露出所述N型氮化镓层的部分表面；S5：在所述P型氮化镓层表面制作P电极，在所述凹陷区域表面制作N电极，得到LED芯片结构。
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