[发明专利]一种功率半导体器件有效
| 申请号： | 201510683388.4 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN105336765B | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 汪志刚;杨大力;王亚南;王冰 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明主要涉及功率半导体器件领域，提出了一种功率半导体器件结构。本结构包括功率半导体器件有源区和结终端区；通过在有源区内部填充HK材料降低有源区导通电阻，达到降低功率器件功耗的目的，同时HK材料耐压能力优于硅，可以减小有源区版图面积；在有源区外围或者外侧填充HK材料构造结终端区，优化功率器件边缘处电场分布，有效缓解了曲率效应，同时结终端区金属场板也能有效改善功率器件电势分布不均匀。本发明结终端区无需复杂结构设计，在现有工艺条件下制作方便，与当前功率器件结终端处理技术相比，只需通过引入HK材料，便能达到有效优化功率器件的边缘处电场分布的目的，使得功率半导体器件耐压值得到较大程度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，包括有源区和结终端区；所述有源区包括第一N型掺杂区(20)、第二N型掺杂区(21)、第一P型掺杂区(31)和HK材料有源区(40)；所述HK材料有源区(40)和第二N型掺杂区(21)沿器件横向方向交替排布构成类超结结构；所述第一P型掺杂区(31)位于类超结结构的上表面；所述第一N型掺杂区(20)位于类超结结构的下表面；所述结终端区位于功率半导体器件有源区外侧或者外围，其包括第一N型掺杂区(20)、第二N型掺杂区(21)、第一P型掺杂区(31)和1个HK材料终端区(41)；HK材料终端区(41)位于所述第一P型掺杂区(31)下方，且紧邻有源区中第一N型掺杂区(20)、第二N型掺杂区(21)；所述结终端区中第一N型掺杂区(20)位于HK材料终端区(41)外侧或者外围，所述结终端区中第二N型掺杂区(21)位于结终端区中第一N型掺杂区(20)上方；所述有源区和终端区下表面具有第一金属电极(101)；所述有源区和终端区的上表面具有第二金属电极(103)；所述HK材料有源区(40)贯穿第一N型掺杂区(20)与第一金属电极(101)连接；所述HK材料终端区(41)贯穿第一N型掺杂区(20)与第一金属电极(101)连接；所述终端区与有源区相连一侧的部分下表面与第一金属电极(101)连接。
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