[发明专利]芯片的制造方法

摘要

本发明提供一种芯片的制造方法，(1)在复合衬底上生长有结构的半导体薄膜，得到结构I；(2)将半导体薄膜进行光刻，定义出图形后刻蚀，刻蚀到腐蚀层，然后去掉光刻胶，清洗，分别形成反射欧姆接触层及反射欧姆接触层的阻挡保护层，得到结构II；(3)将结构II的阻挡保护层通过邦定压焊、电镀、或者两者混合的方式转移到导电衬底的粘结层上，得到结构III；(4)将结构III放入腐蚀液中腐蚀掉腐蚀层，得到结构V；(5)将结构V进行粗化，去边、钝化，得到钝化层，然后去掉要做电极地方的钝化层，做上N电极，最终得到成品。本发明避免了现在用激光剥离的方法需要减薄衬底、衬底上的残留、给半导体材料带来额外的缺陷和应力，简化芯片制造过程，降低芯片制造成本。

主权项

一种芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、在复合衬底上生长有结构的半导体薄膜，得到结构I；所述复合衬底包括衬底、在衬底上生长的腐蚀层以及在腐蚀层上生长的保护层；(2)、将半导体薄膜进行光刻，定义出芯片图形后刻蚀，刻蚀到腐蚀层，然后去掉光刻胶，清洗，分别形成反射欧姆接触层及反射欧姆接触层的阻挡保护层，得到结构II；(3)、将结构II的阻挡保护层通过邦定压焊、电镀、或者两者混合的方式转移到导电衬底的粘结层上，得到结构III；所述导电衬底从上到下依次包括：接触层、硅基板、阻挡层、粘结层；(4)、将结构III放入腐蚀液中腐蚀掉腐蚀层，得到结构V；(5)、将结构V进行粗化，去边、钝化，得到钝化层，然后去掉要做电极地方的钝化层，做上N电极，最终得到成品。