[发明专利]IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量方法及测量系统在审
| 申请号： | 201510684821.6 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106610467A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽;高君宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量方法及测量系统，通过第一电源在IGBT芯片的栅极和发射极之间施加一第一预设电压，使得IGBT芯片内部的沟道产生反型层，反型层将发射极与漂移区连接起来，在测量时，将第二电源提供的第二电压施加在发射极和集电极上，相当于施加在了漂移区和集电极上，进而通过测量集电极和发射极之间的电流达到预设电流时，此时施加在集电极和发射极之间的第二电压即为IGBT芯片背面PN结击穿电压，本发明提供的技术方案不仅保证了测量结果的准确度高，而且测量方法简单易实现。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 芯片 背面 pn 击穿 电压 测量方法 测量 系统 | ||
【主权项】：
一种IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量方法，应用于IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量系统，其特征在于，所述测量系统包括第一电源和第二电源，其中，所述第一电源的正极连接至所述IGBT芯片的栅极，所述第一电源的负极连接至所述IGBT芯片的发射极，所述第二电源的正极连接至所述IGBT芯片的发射极，所述第二电源的负极连接至所述IGBT芯片的集电极，所述测量方法包括：开启所述第一电源和第二电源，其中，所述第一电源提供第一预设电压，所述第二电源提供可调节的第二电压；测量所述IGBT芯片的发射极和集电极之间的电流，且同时提升所述第二电压，待测量所述IGBT芯片的发射极和集电极之间的电流达到预设电流时，获取当前的所述第二电压为所述IGBT芯片背面PN结击穿电压。
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