[发明专利]MEMS电容式湿度传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201510685341.1 | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN105366626A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 赵成龙 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00;G01N27/22 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李阳 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS电容式湿度传感器及其制备方法，包括衬底、氧化层、第一电容电极、第二电容电极和湿度敏感介质，所述氧化层固设在所述衬底上，所述第一、二电容电极均设置在所述氧化层的上面，所述第一电容电极和第二电容电极上分别引出有第一压焊块和第二压焊块，所述湿度敏感介质设置在所述第一、二电容电极之间以及第一、二电容电极的上方和下方，该MEMS电容式湿度传感器及其制备方法在不损失灵敏度，加快响应速度的同时能够简化芯片贴装工艺，降低封装难度。 | ||
| 搜索关键词： | mems 电容 湿度 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS电容式湿度传感器，其特征在于：包括衬底(1)、氧化层(2)、第一电容电极(3)、第二电容电极(4)和湿度敏感介质(5)，所述氧化层固设在所述衬底上，所述第一、二电容电极均设置在所述氧化层的上面，所述第一电容电极和第二电容电极上分别引出有第一压焊块(31)和第二压焊块(41)，所述湿度敏感介质设置在所述第一、二电容电极之间以及第一、二电容电极的上方和下方。
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