[发明专利]高压半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510685837.9 | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN106611785B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 林志威;庄璧光;吴昭纬 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请提供一种高压半导体装置及其制造方法，此装置包括一半导体基底，其具有一第一导电型的一井区及位于其内的一隔离结构，其中于隔离结构两侧分别定义出第一及第二区。第一及第二栅极结构分别设置于第一及第二区上。具有不同于第一导电型的一第二导电型的第一及第二注入区分别位于第一及第二区内，且邻近于隔离结构。一反注入区位于隔离结构下方的井区内，且横向延伸于第一及第二注入区下方。反注入区具有第一导电型，且具有一掺杂浓度大于井区的一掺杂浓度。本申请能够利用反注入区来提升相邻的高压半导体装置之间的隔离能力，进而藉由缩短高压半导体装置之间的距离来缩小装置尺寸或晶片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高压半导体装置，其特征在于，包括：一半导体基底，其具有一第一导电型的一井区及位于该井区内的一隔离结构，其中该隔离结构两侧分别定义出一第一区及一第二区；一第一栅极结构及一第二栅极结构，分别设置于该第一区及该第二区上；一第一注入区及一第二注入区，分别位于该第一区及该第二区内且邻近于该隔离结构，其中该第一注入区及该第二注入区具有不同于该第一导电型的一第二导电型；以及一反注入区，位于该隔离结构下方的该井区内且横向延伸于该第一注入区及该第二注入区下方，其中该反注入区具有该第一导电型，且具有一掺杂浓度大于该井区的一掺杂浓度。
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