[发明专利]提高钙钛矿型氧化物薄膜光电性能的方法有效
| 申请号： | 201510685840.0 | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN105336799A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 高荣礼;符春林;蔡苇;陈刚;邓小玲;邹吉华 | 申请（专利权）人： | 重庆科技学院 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296 |
| 代理公司： | 重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙) 50216 | 代理人： | 陈千 |
| 地址： | 400023 重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开一种提高钙钛矿型氧化物薄膜光电性能的方法，其关键在于首先在钙钛矿型氧化物薄膜中引入氧空位；再对所述钙钛矿型氧化物薄膜施加电场，使氧空位在所述钙钛矿型氧化物薄膜内沿电场方向迁移，在钙钛矿型氧化物薄膜内形成氧空位梯度，采用本发明的有益效果是通过调控施加的电场、磁场、升温温度等就可以调控氧空位的梯度，改善钙钛矿型氧化物薄膜的光电性能，该方法简单效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 钙钛矿型 氧化物 薄膜 光电 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种提高钙钛矿型氧化物薄膜光电性能的方法，其特征在于：首先在钙钛矿型氧化物薄膜中引入氧空位；再对所述钙钛矿型氧化物薄膜施加电场，使氧空位在所述钙钛矿型氧化物薄膜内沿电场方向迁移，在钙钛矿型氧化物薄膜内形成氧空位梯度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
