[发明专利]一种碳化硅表面氧化膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氧等离子体处理；3)高温下氢气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。本发明方法通过于碳化硅氧化膜形成前进行碳化硅表面钝化，提高碳化硅氧化膜质量，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，该方法简单易行，适用于大规模的工业生产。

主权项

1.一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氧等离子体处理；3)高温下氢气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)；所述碳化硅材料(10)为n型或p型的4H‑SiC或6H‑SiC，所述外延薄膜(12)的厚度为0.1μm‑500μm，其掺杂浓度为1×10¹³‑1×10²¹cm^‑3；所述氧等离子体处理的处理功率为10^‑3～10⁵W，气体流量为10^‑3～10⁵sccm，处理时间为10^‑2～10⁵min；所述高温下氢气预处理的设备为箱式炉或管式炉；所述高温下氢气预处理中对温度和流速的分布进行预定，所述温度和/或流速为恒定分布或可变分布；所述可变分布为单阶梯或多阶梯分布；所述温度分布梯度为30～2500℃，所述梯度上的维持时间为0.1～100000min，所述温度变化速率为0.1℃/min～2000℃/min；所述流速为10^‑3sccm～10⁵sccm。