[发明专利]半导体器件沾锡装置有效

专利信息
申请号: 201510685888.1 申请日: 2015-10-21
公开(公告)号: CN105171177A 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 陈伟;徐勇;叶建国;韩宙;程华胜;魏春阳 申请(专利权)人: 江阴亨德拉科技有限公司
主分类号: B23K3/06 分类号: B23K3/06;B23K101/40
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 曹祖良;刘海
地址: 214432 江苏省无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种半导体器件沾锡装置,包括底板,其特征是:在所述底板上安装上锡装置、拉料装置和挡料装置;所述上锡装置包括固定在底板上的固定座和助焊件,在助焊件上安装助焊轨道;在所述固定座上安装第一上锡座,第一上锡座上安装助焊气缸座,助焊气缸座上安装助焊气缸;在所述第一上锡座上设置第一滑块轨道和上锡轨道,在滑块轨道上设置滑块,滑块与第二上锡座连接。当料在助焊轨道上时,拉料装置利用气缸将料拉至上锡轨道,并用挡料装置将料限制在上锡轨道上,上锡装置完成对料的上锡。本发明能够减少人工上锡这一工序,实现自动化上锡,提高工作效率,降低生产成本。
搜索关键词: 半导体器件 装置
【主权项】:
一种半导体器件沾锡装置,包括底板(15),其特征是:在所述底板(15)上安装上锡装置、拉料装置和挡料装置;所述上锡装置包括固定在底板(15)上的固定座(25)和助焊件(9),在助焊件(9)上安装助焊轨道(18);在所述固定座(25)上安装第一上锡座(3),第一上锡座(3)上安装助焊气缸座(4),助焊气缸座(4)上安装助焊气缸(5);在所述第一上锡座(3)上设置第一滑块轨道(7)和上锡轨道(21),在滑块轨道(7)上设置滑块,滑块与第二上锡座(20)连接。
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