[发明专利]用于制造半导体芯片和金属层间的材料配合的连接的方法

摘要

本发明涉及一种用于制造半导体芯片(1)和金属层(21)之间的材料配合的连接的方法。对此提供半导体芯片(1)、具有芯片装配部段(21c)的金属层(21)以及包含金属粉的连接剂(3)。金属粉在烧结过程中进行烧结。在此，在预定的烧结持续时间期间不间断地满足的要求是，连接剂(3)布置在半导体芯片(1)和金属层(21)之间并且连续地从半导体芯片(1)延伸直到金属化层(21)，半导体芯片(1)和金属层(21)在处在高于最小压力的压力区域中相互挤压，连接剂(3)保持在处在高于最小温度的温度区域中，并且声学信号(SUS)耦合到连接剂(3)。

主权项

1.一种用于制造半导体芯片(1)和金属层(21)之间的材料配合的连接的方法，具有步骤：提供半导体芯片(1)；提供金属层(21)，所述金属层具有芯片装配部段(21c)；将包含金属粉的连接剂(3)提供到载体(30)上；借助于装配工具(6)接收所述半导体芯片(1)并且通过所述装配工具(6)将所述半导体芯片放置在处在所述载体(30)上的所述连接剂(3)上，以使得所述连接剂(3)粘附在所述半导体芯片(1)处；以及通过所述装配工具(6)将所述半导体芯片连同粘附在所述半导体芯片上的所述连接剂(3)一起从所述载体(30)揭下并且将所述半导体芯片连同粘附在所述半导体芯片上的所述连接剂(3)一起放在所述芯片装配部段(21c)上，以使得所述连接剂(3)布置在所述半导体芯片(1)和所述芯片装配部段(21c)之间，并且连续地从所述半导体芯片(1)延伸直到所述芯片装配部段(21c)；以及在烧结过程中烧结所述金属粉，其中，在预定的烧结持续时间期间不间断地满足，‑所述连接剂(3)布置在所述半导体芯片(1)和所述金属层(21)之间并且连续地从所述半导体芯片(1)延伸直到金属层(21)，‑所述半导体芯片(1)和所述金属层(21)在处在高于最小压力的压力区域中相互挤压，‑所述连接剂(3)保持在处在高于最小温度的温度区域中，并且‑声学信号(SUS)耦合到所述连接剂(3)中。