[发明专利]高压发光二极管透明导电层的制造方法

摘要

本发明涉及一种高压发光二极管透明导电层的制造方法，其特征是，包括以下步骤：步骤1：采用GaN基LED外延片生长形成自下而上分布的衬底、缓冲层、U-GaN层、N-GaN层、多量子肼和P-GaN层；步骤2：生长完成的LED外延片清洗干净，采用化学气相沉积法制备二维石墨烯，将二维石墨烯转移到LED外延片的P-GaN层表面、并与P-GaN层电学接触，得到透明导电层；步骤3：在外延片表面涂覆光刻胶，光刻进行图形化，采用物理刻蚀使得N-GaN层暴露出来，最后清除光刻胶；步骤4：沉积掩膜层SiO₂，光刻图形做出SiO₂绝缘层；步骤5：采用电子束蒸发金属Au，光刻图形做出P电极、N电极和桥接结构。本发明采用石墨烯代替ITO作为透明导电层，解决目前ITO越厚影响透明度的缺陷。

主权项

一种高压发光二极管透明导电层的制造方法，其特征是，包括以下步骤：步骤1：采用GaN基LED外延片生长形成自下而上分布的衬底（1）、缓冲层（2）、U‑GaN层（3）、N‑GaN层（4）、多量子肼（5）和P‑GaN层（6）；步骤2：生长完成的LED外延片清洗干净，采用化学气相沉积法制备二维石墨烯，将二维石墨烯转移到LED外延片的P‑GaN层（6）表面、并与P‑GaN层（6）电学接触，得到透明导电层（7）；步骤3：在外延片表面涂覆光刻胶，光刻进行图形化，采用物理刻蚀使得N‑GaN层（4）暴露出来，最后清除光刻胶；步骤4：沉积掩膜层SiO₂，光刻图形做出SiO₂绝缘层（10）；步骤5：采用电子束蒸发金属Au，光刻图形做出P电极（8）、N电极（9）和桥接结构（11）。