[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：在栅极结构表面以及层间介质层表面形成第一掩膜层；在第一掩膜层表面形成第二掩膜层；在第二掩膜层表面形成第一图形层，相邻第一图形层之间的第一开口图形贯穿所述源漏区和位于相邻源漏区之间的隔离区；以第一图形层为掩膜，刻蚀第二掩膜层直至暴露出第一掩膜层表面；形成若干分立的第二图形层，第二图形层暴露出的区域与有源区一致；以第二图形层为掩膜，刻蚀暴露出的第一掩膜层直至暴露出层间介质层顶部表面；以刻蚀后第一掩膜层为掩膜，刻蚀层间介质层直至暴露出源漏区表面，在层间介质层内形成接触通孔；在接触通孔暴露出的源漏区表面形成金属硅化物层。本发明改善形成的半导体器件的电学性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供包括若干有源区和将相邻有源区隔开的隔离区的基底，所述基底表面形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的有源区基底内形成有源漏区，所述基底表面以及栅极结构表面形成有层间介质层；在所述栅极结构表面以及层间介质层表面形成第一掩膜层；在所述第一掩膜层表面形成第二掩膜层，且所述第二掩膜层的材料与第一掩膜层的材料不同；在所述第二掩膜层表面形成若干分立的第一图形层，所述第一图形层投影于栅极结构顶部表面的图形至少铺满栅极结构顶部表面，相邻第一图形层之间具有第一开口，所述第一开口的图形贯穿所述源漏区和位于相邻源漏区之间的隔离区；以所述第一图形层为掩膜，刻蚀所述第二掩膜层直至暴露出第一掩膜层表面；去除所述第一图形层；在所述暴露出的第一掩膜层表面和刻蚀后第二掩膜层表面形成若干分立的第二图形层，所述第二图形层位于相邻源漏区之间的隔离区正上方，且所述第二图形层暴露出的区域与有源区一致；以所述第二图形层为掩膜，刻蚀所述暴露出的第一掩膜层直至暴露出层间介质层顶部表面；去除所述第二图形层；以刻蚀后第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述层间介质层直至暴露出源漏区表面，在所述层间介质层内形成接触通孔；在所述接触通孔暴露出的源漏区表面形成金属硅化物层。