[发明专利]一种半导体取暖装置在审

专利信息
申请号: 201510693477.7 申请日: 2015-10-24
公开(公告)号: CN105202612A 公开(公告)日: 2015-12-30
发明(设计)人: 唐玉敏;虞红伟 申请(专利权)人: 唐玉敏;虞红伟
主分类号: F24D13/00 分类号: F24D13/00;F24D19/10
代理公司: 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 代理人: 赵卫康
地址: 315400 浙江省宁波*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及采暖技术领域,尤其涉及一种半导体取暖装置。包括半导体发热单元、与所述半导体发热单元电连接为所述半导体发热单元供电的供电单元;所述半导体发热单元包括半导体发热板,所述半导体发热板包括用于释放热量的热端、用于吸收热量的冷端、设置在所述热端和所述冷端之间的P型半导体和N型半导体、以及连接所述N型半导体和所述P型半导体的金属导体;所述金属导体设置用于连接所述电源的正负电极;其特征在于:所述N型半导体设置石墨烯层,或者所述P型半导体设置石墨烯层,或者所述N型半导体和所述P型半导体均设置石墨烯层。提高所述半导体发热板热冷端的温度差,达到提高半导体发热板制热能力的目的。
搜索关键词: 一种 半导体 取暖 装置
【主权项】:
一种半导体取暖装置,包括半导体发热单元(2)、与所述半导体发热单元(2)电连接并为所述半导体发热单元(2)供电的供电单元(1);所述半导体发热单元(2)包括半导体发热板,所述半导体发热板包括用于释放热量的热端(21)、用于吸收热量的冷端(22)、设置在所述热端(21)和所述冷端(22)之间的P型半导体(23)和N型半导体(24)、以及连接所述N型半导体(24)和所述P型半导体(23)的金属导体(25);所述金属导体(25)设置用于连接所述供电单元(1)的正负电极;其特征在于:所述N型半导体(24)设置石墨烯层,或者所述P型半导体(23)设置石墨烯层,或者所述N型半导体(24)和所述P型半导体(23)均设置石墨烯层(26)。
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