[发明专利]ITO导电玻璃上集成增强基底的SERS微流控芯片及制备方法

摘要

一种基于ITO导电玻璃上集成纳米增强基底的复合式多通道SERS微流控芯片及其制备方法。本发明充分利用ITO导电玻璃表面光滑、导电性好的特性，将其作为SERS微结构的基底表面，采用两步计时电流沉积方法，通过控制纳米颗粒成核与生长过程中的沉积电位与沉积时间，控制纳米颗粒形貌与尺寸，可有效制备灵敏度高、稳定性好、均匀分布的金属纳米结构SERS基底。进一步，将其与含阵列式微通道的PDMS盖片键合，构建获得复合式、高通量的微流控SERS芯片，该芯片在同一片ITO玻璃上制作形成多个SERS检测区，其纳米增强基底是同步电化学沉积获得，其形貌一致性好，信号重现性佳。

主权项

基于ITO导电玻璃上集成纳米增强基底的SERS微流控芯片，其由集成SERS增强基底的ITO基片与PDMS盖片键合而成；其特征在于：在PDMS盖片上有多条平行微通道，微通道顶面开敞，在与ITO基片键合后封闭，每条通道两端设置与通道尺寸匹配的进液口与出液口；在ITO基片上通过同步电化学沉积集成有SERS增强基底，在对应PDMS盖片上每条微通道的位置至少形成一个SERS检测区；所述SERS检测区通过同步电化学沉积有直径在50～200nm范围的纳米金属颗粒。