[发明专利]测试芯片制造过程中电荷累积的方法在审
| 申请号： | 201510695080.1 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN105280515A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 孙访策;李志国;欧少敏;杨勇;管宝辉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种测试芯片制造过程中电荷累积的方法，包括：先制备长有介质层的多个晶圆；使得所述多个晶圆中的第一部分晶圆经由第一工艺腔进行刻蚀处理；使得所述多个晶圆中的第二部分晶圆经由第二工艺腔进行刻蚀处理；测量经过刻蚀之后所述第一部分晶圆和所述第二部分晶圆的介质层的表面电势和平带电压；分析所述第一部分晶圆和所述第二部分晶圆的介质层的表面电势数据和平带电压数据；根据分析结果判断第一工艺腔和第二工艺腔是否存在异常。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 芯片 制造 过程 电荷 累积 方法 | ||
【主权项】：
一种测试芯片制造过程中电荷累积的方法，其特征在于包括：第一步骤：制备长有介质层的多个晶圆；第二步骤：使得所述多个晶圆中的第一部分晶圆经由第一工艺腔进行刻蚀处理；第三步骤：使得所述多个晶圆中的第二部分晶圆经由第二工艺腔进行刻蚀处理；第四步骤：测量经过刻蚀之后所述第一部分晶圆和所述第二部分晶圆的介质层的表面电势和平带电压；第五步骤：分析所述第一部分晶圆和所述第二部分晶圆的介质层的表面电势数据和平带电压数据；第六步骤：根据分析结果判断第一工艺腔和第二工艺腔是否存在异常。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
