[发明专利]超高压场效应管子电路模型建模方法有效
| 申请号： | 201510695091.X | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN105160141B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王正楠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超高压场效应管子电路模型建模方法，包括：在原超高压场效应管子电路模型加入利用串联的旁路电阻和旁路电压源构成旁路电路，以形成更新的子电路模型；其中旁路电压源为电压控制电压源，旁路电阻一端连接至旁路电压源而且另一端接地；旁路电压源一端连接至一端连接至，而且另一端作为旁路节点；其中原超高压场效应管子电路模型包括与晶体管漏端连接的漏端寄生电阻和与晶体管源端连接的源端寄生电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 超高压 场效应 管子 电路 模型 建模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超高压场效应管子电路模型建模方法，其特征在于包括：在原超高压场效应管子电路模型加入利用串联的旁路电阻和旁路电压源构成旁路电路，以形成更新的子电路模型；其中旁路电压源为电压控制电压源，旁路电阻一端连接至旁路电压源而且另一端接地；旁路电压源一端连接至旁路电阻，而且另一端作为旁路节点；其中原超高压场效应管子电路模型包括晶体管、与所述晶体管漏端连接的漏端寄生电阻和与所述晶体管源端连接的源端寄生电阻；以旁路节点的电压对漏端寄生电阻的电阻值进行修正。
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