[发明专利]阵列基板的制作方法在审
| 申请号： | 201510696367.6 | 申请日： | 2015-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105244258A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 杨丽娟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 鞠永善 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板的制作方法，属于显示技术领域。所述制作方法包括：形成第一金属层；在第一金属层上形成第一光刻胶图形；在第一金属层上形成第二光刻胶图形，第二光刻胶图形与第一光刻胶图形至少部分交错；在第一光刻胶图形和第二光刻胶图形的保护下，对第一金属层进行刻蚀，形成位于布线区中的线路。本发明通过分别在第一金属层上形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，第二光刻胶图形与第一光刻胶图形至少部分交错，分别形成的第一光刻胶图形和第二光刻胶图形比一次形成的光刻胶图形的图形密度低，采用同样的曝光设备，形成的第一光刻胶图形和第二光刻胶图形的图形质量较好，避免了形成的布线区引线短路或断路。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区和位于所述显示区外围的布线区，所述制作方法用于制作位于所述布线区中的线路，其特征在于，所述制作方法包括：形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第一光刻胶图形；在所述第一金属层上形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形与所述第一光刻胶图形至少部分交错；在所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形的保护下，对所述第一金属层进行刻蚀，形成位于所述布线区中的线路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
