[发明专利]用于半导体衬底热控制的缓冲站及传送半导体衬底的方法

摘要

本发明总体上涉及用于半导体衬底热控制的缓冲站及传送半导体衬底的方法。一种用于在半导体衬底处理系统内热控制半导体衬底的缓冲站配置成与该系统的第一和第二真空传送模块连接，从而允许衬底在它们之间传送。缓冲站包括：第一真空传送模块接口，其配置成允许衬底在第一真空传送模块和缓冲站之间被传送；以及第二传送模块接口，其配置成允许衬底在第二真空传送模块和缓冲站之间被传送。在第一和第二真空传送模块接口之间的至少一个缓冲室包括下基座，该下基座配置成在其支撑表面上接收衬底。一个或多个半导体衬底存储支架位于下基座的上方。每个支架配置成从第一或第二真空传送模块接收衬底并在其上存储相应的衬底。

主权项

一种用于热控制模块化半导体衬底处理系统内的穿过其内被传送的半导体衬底的缓冲站，所述缓冲站配置成与所述模块化半导体衬底处理系统的第一真空传送模块和第二真空传送模块连接，从而允许半导体衬底在它们之间被传送，所述缓冲站包括：第一真空传送模块接口，其配置成允许一个或多个半导体衬底在真空压下在所述第一真空传送模块和所述缓冲站之间被传送；第二真空传送模块接口，其配置成允许一个或多个半导体衬底在真空压下在所述第二真空传送模块和所述缓冲站之间被传送；以及在所述第一真空传送模块接口和所述第二真空传送模块接口之间的至少一个缓冲室，所述至少一个缓冲室包括：下基座，其配置成从所述第一真空传送模块或所述第二真空传送模块接收半导体衬底在其支撑表面上并且能操作以在其上所接收的所述半导体衬底上执行加热或冷却操作；以及在所述下基座上方的一个或多个半导体衬底存储支架，其各自配置成从所述第一真空传送模块或所述第二真空传送模块接收半导体衬底，其中每个半导体衬底存储支架能操作以在其上存储相应的半导体衬底。