[发明专利]晶片对晶片对接结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201510699989.4 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106611756A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 林明哲 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶片对晶片对接结构及其制作方法。晶片对晶片对接结构，包含一第一晶片、一第二晶片和一第一接合层和一第二接合层设置于第一晶片和第二晶片之间，一界面设置于第一接合层与第二接合层的接触面，多个第一金属内连线设置于第一接合层内，多个第二金属内连线设置于第二接合层内以及一直通硅穿孔穿透第一晶片、第一接合层和界面，并且进入第二接合层，其中直通硅穿孔接触第一金属内连线中的其中之一个第一金属内连线以及接触第二金属内连线中的其中之一个第二金属内连线。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 对接 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶片对晶片对接结构的制作方法，包含：提供一第一晶片和一第二晶片，一第一接合层覆盖该第一晶片，一第二接合层覆盖该第二晶片，其中该第一接合层内设置有多个第一金属内连线，该第二接合层内设置有多个第二金属内连线；将该第一接合层与该第二接合层接合，其中该第一接合层与该第二接合层的接触面形成一界面；薄化该第一晶片；以及形成至少一直通硅穿孔接触该多个第一金属内连线中的其中之一个第一金属内连线以及接触该多个第二金属内连线中的其中之一个第二金属内连线。
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