[发明专利]像素结构及阵列基板有效
申请号: | 201510701132.1 | 申请日: | 2015-10-26 |
公开(公告)号: | CN105204259B | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 杜鹏 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/139 | 分类号: | G02F1/139;G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 张文娟;朱绘 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种像素结构及阵列基板。本发明的像素结构即保留了DLS架构带来的降低制造成本的特点,又通过使每个像素区域的主像素区域的像素电极的电压和子像素区域的像素电极的电压不同的技术手段,解决了VA模式下液晶显示面板存在的大视角色偏的技术问题,改善了液晶显示面板的大视角特性,显著提高了显示效果和市场竞争力。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,包括扫描线、数据线、像素电极和公共电极;每相邻两条数据线之间设置有多组像素区域,其中每组像素区域对应两条相邻的扫描线,并且每组像素区域包括两个亚像素区域;所述亚像素区域包括主像素区域和子像素区域,所述主像素区域内的像素电极与所述公共电极的电压差不同于所述子像素区域内的像素电极与所述公共电极的电压差;所述主像素区域内设置有第一薄膜晶体管,所述子像素区域内设置有第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极同时连接所述相邻的扫描线中的一条,所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的源极同时连接所述相邻两条数据线中的一条,所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述主像素区域的像素电极,所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述子像素区域的像素电极;所述第三薄膜晶体管的设置使得所述主像素区域内的像素电极与所述公共电极的电压差不同于所述子像素区域内的像素电极与所述公共电极的电压差;其中,所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极和所述第三薄膜晶体管的栅极连接同一条扫描线;所述第三薄膜晶体管的漏极连接所述子像素区域的像素电极,所述第三薄膜晶体管的源极连接所述公共电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510701132.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电致变色智能窗及其封装方法
- 下一篇:液晶显示器