[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201510702088.6 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106611788B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 李勇;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高静;吴敏<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成界面层；对所述界面层进行第一退火处理，所述第一退火处理在含氮氛围下进行，使界面层表面形成含氮层；在所述含氮层表面形成高k栅介质层；对所述高k栅介质层进行第二退火处理，使含氮层中的氮离子扩散至高k栅介质层内；在所述高k栅介质层表面形成栅电极层。本发明改善高k栅介质层的介电弛豫问题，从而提高形成的半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底；/n在所述基底表面形成界面层；/n对所述界面层进行第一退火处理，所述第一退火处理在含氮氛围下进行，使界面层表面形成含氮层；/n在所述含氮层表面形成高k栅介质层；/n对所述高k栅介质层进行第二退火处理，使含氮层中的氮离子扩散至高k栅介质层内；/n在所述高k栅介质层表面形成栅电极层。/n
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