[发明专利]一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法在审
| 申请号： | 201510702260.8 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN105225943A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 杨成樾;申华军;吴佳;汤益丹;白云;李诚瞻;刘国友;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法，该方法是在需要腐蚀的氧化硅层之上沉积一薄层氧化硅介质，通过调节该薄层氧化硅介质的致密度及厚度，实现对需要腐蚀的氧化硅层的侧向腐蚀速度控制，进而实现对需要腐蚀的氧化硅层的各向异性湿法腐蚀工艺中倾角的控制。该工艺方法简单，易于实现。而利用该方法制成的氧化硅介质作为抗刻蚀掩模为进一步控制刻蚀其它半导体材料的侧壁形貌提供了有效途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 各向异性 湿法 腐蚀 工艺 控制 倾角 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法，其特征在于，该方法是在需要腐蚀的氧化硅层之上沉积一薄层氧化硅介质，通过调节该薄层氧化硅介质的致密度及厚度，实现对需要腐蚀的氧化硅层的侧向腐蚀速度控制，进而实现对需要腐蚀的氧化硅层的各向异性湿法腐蚀工艺中倾角的控制。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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