[发明专利]一种超薄硅化物的制备方法在审
| 申请号： | 201510702268.4 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106611704A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 黎明;陈珙;杨远程;张昊;樊捷闻;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 | 代理人： | 司立彬 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超薄硅化物的制备方法。本方法为1)在硅衬底上制备插入阻挡层；2)在制备的阻挡层上制备一金属层；3)对步骤2)得到的结构进行退火，使该金属层的金属扩散过该插入阻挡层并与硅反应形成超薄硅化物；4)去除多余的金属以及该插入阻挡层，得到超薄硅化物。本发明可实现小于2nm的超薄硅化物的制备，且通过改变插入阻挡层的厚度来控制驱入的金属量，以此可以得到同一金属但不同物相和不同厚度的硅化物，工艺可控性高；形成的超薄硅化物具有低电阻率、低肖特基势垒、均匀性好和平整度好的特点；对常规超薄硅化物制备方法中金属的淀积工艺窗口大大放宽；完全和体硅CMOS工艺相兼容，工艺简单，成本代价小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 硅化物 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超薄硅化物的制备方法，其步骤为：1)在硅衬底上制备插入阻挡层；2)在制备的阻挡层上制备一金属层；3)对步骤2)得到的结构进行退火，使该金属层的金属扩散过该插入阻挡层并与硅反应形成超薄硅化物；4)去除多余的金属以及该插入阻挡层，得到超薄硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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