[发明专利]一种品质提升的蓝宝石晶片图形化基板蚀刻失败后返工工艺

摘要

本发明涉及一种品质提升的蓝宝石晶片图形化基板蚀刻失败后返工工艺，其工艺流程为：清洗、分选、CMP抛光去除蓝宝石晶片表面缺陷，该工艺操作简单，能够有效解决传统工艺中不足的问题，有效的去除表面的损伤层，对于晶片的品质有很大的提高。

主权项

一种品质提升的蓝宝石晶片图形化基板蚀刻失败后返工工艺，其特征为，其工艺流程如下：一、清洗：（1）将图形化基板蚀刻失败后的蓝宝石晶片在丙酮中静置浸泡30min，去除蓝宝石晶片表面的油污；（2）蓝宝石晶片表面光刻胶的清洗：在酸洗槽中按5:1的质量比将H2SO4与H2H2配制成酸洗液，将酸洗液加热到140℃，将经过步骤一（1）处理后的蓝宝石晶片放置到酸洗槽中，浸泡5分钟，后使用纯水冲洗200秒，将蓝宝石晶片表面的酸液冲净；（3）烘干：使用甩干机将经步骤一（2）清洗后的蓝宝石晶片甩干，确保蓝宝石晶片表面无水渍残留；二、分选：（1）检测：在强光等下检测经步骤一清洗后的蓝宝石晶片表面，先剔除掉有裂痕和崩边的蓝宝石晶片；（2）厚度排列：对每片蓝宝石晶片进行厚度的测量，将蓝宝石晶片按厚度从小到大的顺序排列，每批蓝宝石晶片的数量与抛光机的每个RUN的片数相同，每批蓝宝石晶片之间厚度的差异控制在3um以内；三、CMP抛光去除蓝宝石晶片表面缺陷，所述 CMP抛光采用贴蜡抛光的工艺：（1）将表面光滑平坦度好的圆形陶瓷盘放置于加热平台上，使圆形陶瓷盘的光滑面朝上，加热至90℃，陶瓷盘的厚度为2±0.5cm；（2）采用融点为60℃的固态蜡，将固态蜡均匀涂在陶瓷盘表面，此时，固态蜡融化成粘蜡，将经步骤二分选后的蓝宝石晶片贴于融化后的粘蜡上，需抛光面朝上；（3）将贴有蓝宝石晶片的陶瓷盘放置于气囊压片机上，放下气囊垫，一方面挤压出蓝宝石晶片和陶瓷盘之间粘蜡和气泡，另一方面对陶瓷盘进行冷却，使粘蜡凝固；（4）陶瓷盘放于抛光机上，抛光机采用单轴压力控制系统，抛光机的下盘面为贴有抛光布的表面平坦的铅盘，将陶瓷盘放置于抛光机下盘面，贴有蓝宝石晶片的一面朝下，放下上轴；（5）进行抛光，抛光采用碱性抛光液，所述碱性抛光液成分包括SIO2，KOH，络合剂，碱性抛光液的PH值为10~11.5，抛光压力为100‑200kg，转速为40‑50RPM，将下盘面的温度保持在40‑45℃，抛光时间为100分钟；（6）抛光结束后，将陶瓷盘放入水槽中，贴有蓝宝石晶片的一面朝上，用纯水冲洗蓝宝石晶片表面的抛光液，后用气枪吹干；（7）将吹净后陶瓷盘放置在加热平台上，将温度加热至90℃后，使蓝宝石晶片背面的凝固的粘蜡融化，取出蓝宝石晶片，装入晶舟盒中；（8）将取出的蓝宝石晶片放入配有碱性清洗液的清洗槽中，开启加热和超声，去除蓝宝石晶片背面残余的粘蜡，所述碱性清洗液为NaOH溶液或KOH溶液，所述NaOH或KOH的质量百分比为2%‑5%。