[发明专利]气相生长装置以及气相生长方法

摘要

实施方式的气相生长装置具备：n个反应室，在小于大气压的压力下分别处理基板，其中n为1以上的整数；盒室，具有能够设置用于保持基板的盒的盒保持部，该盒室能够减压至小于大气压的压力；搬送室，设置于反应室与盒室之间，基板在小于大气压的压力下被搬送；以及基板待机部，能够同时保持n片以上的在反应室被处理后的基板，该基板待机部的耐热温度为500℃以上，且设置于能够减压至小于大气压的压力的区域。

主权项

一种气相生长装置，其特征在于，具备：n个反应室，在小于大气压的压力下分别处理基板，n为1以上的整数；盒室，具有能够设置用于保持上述基板的盒的盒保持部，该盒室能够减压至小于大气压的压力；搬送室，设置于上述反应室与上述盒室之间，在小于大气压的压力下搬送上述基板；以及基板待机部，能够同时保持n片以上的在上述反应室中被处理后的上述基板，该基板待机部的耐热温度为500℃以上，且设置于能够减压至小于大气压的压力的区域。