[发明专利]低成本与门电路在审
申请号: | 201510705642.6 | 申请日: | 2015-10-27 |
公开(公告)号: | CN105207667A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 王钊 | 申请(专利权)人: | 无锡中感微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 庞聪雅 |
地址: | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种低成本与门电路,其包括:第一与门输入端;第二与门输入端;与门输出端;第一PMOS晶体管,其源极与第一与门输入端相连,其栅极与第二与门输入端相连;第二PMOS晶体管,其源极与第一与门输入端相连,其栅极与第一PMOS晶体管的漏极相连,其漏极与所述与门输出端相连;第一NMOS晶体管,其栅极与第二与门输入端相连,其源极接地,其漏极与第一PMOS晶体管的漏极相连;第一电阻,其连接于所述与门输出端和接地端之间。本发明中的与门电路只需要3个MOS晶体管以及一个电阻或电流源,实现成本更低,芯片面积更小。 | ||
搜索关键词: | 低成本 与门 电路 | ||
【主权项】:
一种与门电路,其特征在于,其包括:第一与门输入端;第二与门输入端;与门输出端;第一PMOS晶体管,其源极与第一与门输入端相连,其栅极与第二与门输入端相连;第二PMOS晶体管,其源极与第一与门输入端相连,其栅极与第一PMOS晶体管的漏极相连,其漏极与所述与门输出端相连;第一NMOS晶体管,其栅极与第二与门输入端相连,其源极接地,其漏极与第一PMOS晶体管的漏极相连;第一电阻,其连接于所述与门输出端和接地端之间。
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