[发明专利]一种低气孔率低烧结温度的高硬度氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510706706.4 申请日: 2015-10-27
公开(公告)号: CN105367070A 公开(公告)日: 2016-03-02
发明(设计)人: 王丹丹;王乐平;夏运明;涂聚友 申请(专利权)人: 合肥龙多电子科技有限公司
主分类号: C04B35/582 分类号: C04B35/582;C04B35/622
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 231600 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种低气孔率低烧结温度的高硬度氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料,该材料将氮化铝和碳化硅粉体混合使用,具备高的导热和环保性,而以季铵盐离子液体、无水乙醇、异己二醇制备的复合溶剂较之传统的有机溶剂表面张力低,对粉体的浸润性更佳,得到的复合醇基流延浆料不易产生气泡,微尺度的粉体间能形成稳定的互穿网络结构,浆料流动性好,易于流延成型,坯体烧结稳定性更佳,加入的纳米立方氮化硼有补强增韧的效果,改善基片薄片的力学性能,再结合烧结助剂及其它原料,使得制备得到的基板片烧结温度更低,结构致密,气孔率低,杂质含量低,导热更为高效,可广泛的用做多种电路板基板。
搜索关键词: 一种 气孔率 烧结 温度 硬度 氮化 碳化硅 复合 电路板 板材 料及 制备 方法
【主权项】:
一种低气孔率低烧结温度的高硬度氮化铝‑碳化硅复合电路板基板材料,其特征在于,该材料由以下重量份的原料制成:氮化铝60‑70、碳化硅15‑20、氧化铜0.2‑0.5、纳米碳酸锶2‑3、纳米立方氮化硼6‑8、季铵盐类离子液体10‑15、无水乙醇适量、硅烷偶联剂kh550 1‑2、异己二醇6‑8、聚乙二醇2‑3、烧结助剂6‑8。
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