[发明专利]银纳米线制造方法在审
| 申请号： | 201510707170.8 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105537609A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | R·P·齐巴思;R·A·帕泰克;W·王;P·T·麦格夫;G·L·阿森斯;J·M·戈斯;J·D·伦恩 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 樊云飞;陈哲锋 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种制造银纳米线的方法，其中回收的银纳米线具有高纵横比；并且其中在所述方法期间在任何时候总乙二醇浓度都＜0.001重量％。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造高纵横比银纳米线的方法，其包含：提供容器；提供水；提供还原糖；提供还原剂；提供聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，其中将提供的所述聚乙烯吡咯烷酮(PVP)分成第一部分的所述聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和第二部分的所述聚乙烯吡咯烷酮(PVP)；提供铜(II)离子来源；提供卤离子来源；提供银离子来源，其中将提供的所述银离子来源分成第一部分的所述银离子来源和第二部分的所述银离子来源；将所述水、所述还原糖、所述铜(II)离子来源以及所述卤离子来源添加到所述容器中以形成组合；将所述组合加热到110到160℃；将所述第一部分的所述聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、所述第一部分的所述银离子来源以及所述还原剂添加到所述容器中的所述组合中以形成产生混合物；接着向所述容器中添加所述第二部分的所述聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和所述第二部分的所述银离子来源以形成生长混合物；维持所述生长混合物110到160℃2到30小时的保持时段以提供产物混合物；和自所述产物混合物回收多个高纵横比银纳米线；其中在任何时候所述容器中的总乙二醇浓度都＜0.001重量％。
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