[发明专利]一种铜锑硫太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201510707654.2 申请日: 2015-10-27
公开(公告)号: CN105390373A 公开(公告)日: 2016-03-09
发明(设计)人: 万磊;胡可;马程;徐进章 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L31/18
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人: 乔恒婷
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种铜锑硫太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法,其中光吸收层铜锑硫采用三步多源共蒸发沉积工艺制备,有效弥补了硫化锑的反蒸发,精确控制薄膜成分,并提高了薄膜的结晶性,薄膜底部富锑,提高了薄膜附着力,表层富锑,抑制了表层富铜相的生成,降低了太阳能电池的漏电流。本发明制备方法相对于化学法,提高了铜锑硫的结晶性和成分可控性,抑制了杂相生成,减少了空间电荷区的载流子复合,有利于提高电池效率。
搜索关键词: 一种 铜锑硫 太阳能电池 光吸收 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种铜锑硫太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法,其特征在于包括如下步骤:将镀钼玻璃衬底置于多源热蒸发镀膜系统的衬底上并抽真空至5×10‑4Pa,将铜、锑和硫的束源炉温度分别升至1100‑1200℃、500‑600℃以及100‑200℃并分别保持恒定;第一步,将衬底温度升温至200‑300℃并保持恒定,向镀钼玻璃衬底表面蒸镀锑和硫10‑15分钟;第二步,锑和硫蒸镀结束后,保持衬底温度不变并同时蒸镀铜、锑和硫30‑40分钟;第三步,铜、锑和硫蒸镀结束后将衬底温度升温至350‑450℃,再继续蒸镀锑和硫20‑30分钟;锑和硫蒸镀结束后将衬底温度降至室温得到符合化学计量比的铜锑硫薄膜。
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