[发明专利]具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置有效
| 申请号： | 201510708221.9 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105220122B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张斌;张俊彦;高凯雄;强力;王健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于物理气相沉积领域，涉及一种具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置。该装置包括由偏压电源供电的工件盘、与真空泵组相连的真空腔体，真空腔体内设有不少于2个的由电源Ⅰ供电的磁控溅射靶，相邻的磁控溅射靶之间设有由电源Ⅱ供电的高功率脉冲离子源，在真空腔体内形成闭环结构。本发明将高功率脉冲离子源同磁控溅射相复合，消除了高功率脉冲电源作为磁控溅射电源时产生的离子回流现象，保证了磁控溅射所需的高离化密度，高功率脉冲离子源提高了薄膜的沉积速率。 | ||
| 搜索关键词： | 高功率脉冲 离子源 磁控溅射装置 磁控溅射靶 电源 磁控溅射 真空腔 供电 体内 磁控溅射电源 物理气相沉积 闭环结构 离子回流 偏压电源 真空泵组 真空腔体 工件盘 离化 薄膜 沉积 复合 保证 | ||
【主权项】：
1.一种具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置，包括由偏压电源（7）供电的工件盘（2）、与真空泵组（1）相连的真空腔体，真空腔体内设有不少于2个的由电源Ⅰ（5）供电的磁控溅射靶（3），其特征在于相邻的磁控溅射靶（3）之间设有由电源Ⅱ（6）供电的高功率脉冲离子源（4），在真空腔体内形成闭环电磁场结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院兰州化学物理研究所，未经中国科学院兰州化学物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510708221.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：固定基台和蒸镀设备
- 下一篇：一种Ag掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
