[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201510708562.6 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105575928B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 门口卓矢 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;邓玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括：半导体元件；被接合构件，其被接合到半导体元件并且包括镍膜；以及接合层，其被接合至所述被接合构件并且包含2.0wt％或以上的铜，其中接合层包括焊料部分和Cu6Sn5部分，焊料部分的基体金属至少包含作为构成元素的锡并且包含单质的铜，并且Cu6Sn5部分与镍膜接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于包括：半导体元件；被接合构件，其被接合至所述半导体元件并且包括镍膜；以及接合层，其被接合至所述被接合构件并且包含2.0wt％以上且7.6wt％以下的铜；其中所述接合层包括焊料部分和Cu6Sn5部分；所述焊料部分的基体金属至少包含作为构成元素的锡和作为构成元素的铜并且包含单质的铜，并且单质的铜的比例取决于所述焊料部分的基体金属中包含的作为构成元素的铜的比例来调整，通过引入所述单质的铜到所述焊料部分的基体金属中，所述焊料部分的基体金属中包含的作为构成元素的铜的比例减少，以及所述Cu6Sn5部分与所述镍膜接触。
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