[发明专利]一种显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201510708800.3 | 申请日: | 2015-10-27 |
公开(公告)号: | CN105206570B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 龙芬 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种显示面板及其制造方法,显示面板的制造方法包括步骤:提供一基板,在该基板上形成源极、漏极和沟道;在基板上沉积第一绝缘层;在第一绝缘层上形成间隔设置的多个彩色光阻,使得源极、漏极和沟道位于两个相邻的彩色光阻之间;由同一道制程形成栅极和公共电极,且使得栅极形成于两个相邻的彩色光阻之间的第一绝缘层上,公共电极形成于彩色光阻上;在栅极和公共电极上形成第二绝缘层,第二绝缘层具有一连通源极的通孔;在第二绝缘层上形成像素电极,像素电极通过通孔与源极接触,像素电极进一步与公共电极形成存储电容。通过本发明制造方法可增大存储电容,改善像素电极的漏电情况。 | ||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种显示面板的制造方法,其特征在于,所述方法包括步骤:提供一基板,在所述基板上形成黑矩阵;在所述黑矩阵上依次形成半导体层和金属层;通过光罩制程使所述金属层形成源极和漏极,使所述半导体层形成沟道,且所述源极和所述漏极间隔位于所述沟道上,所述沟道连接所述源极和所述漏极;所述光罩制程中的光罩采用灰阶光罩、半色调光罩或狭缝光罩,以一次形成所述源极、漏极和沟道;在所述基板上利用两次沉积得到第一绝缘层,其中第一次慢速沉积较薄的绝缘层,第二次快速沉积较厚的绝缘层;在所述第一绝缘层上形成间隔设置的多个彩色光阻,且使得所述源极、漏极和沟道位于两个相邻的所述彩色光阻之间;由同一道制程形成栅极和公共电极,且使得所述栅极形成于两个相邻的所述彩色光阻之间的第一绝缘层上,所述公共电极形成于所述彩色光阻上;在所述栅极和公共电极上形成第二绝缘层,所述第二绝缘层具有一连通所述源极的通孔;在所述第二绝缘层上形成像素电极,所述像素电极通过所述通孔与所述源极接触,所述像素电极进一步与所述公共电极形成存储电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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