[发明专利]一种防止逆向电压击穿发光二极管的结构与制作方法

摘要

本发明提供了一种防止逆向电压击穿发光二极管的结构，属于发光二极管技术领域，包括一基板和一正电极，基板上表面键合有外延层，外延层包括由下到上依次设置的p-GaP层、P-披覆层、量子阱和N-披覆层，N-披覆层上设有一N型奥姆接触金属层，N-批覆层、量子阱和P-批覆层的侧壁上设有一绝缘层，N型奥姆接触金属层与p-GaP层联接并形成负电极，p-GaP层与负电极的接口处形成一高阻值界面，还包括一P型奥姆接触金属层，正电极与P型奥姆接触金属层电连接。本发明还提供了上述防止逆向电压击穿发光二极管的结构的制作方法。本发明结构合理，能够避免逆偏压过高造成量子阱发光层被破坏而导致LED失效，既可以使用在垂直版芯片上又可以使用在水平版芯片上。

主权项

一种防止逆向电压击穿发光二极管的结构，其特征在于：包括一基板和一正电极，所述基板上表面键合有外延层，所述外延层包括由下到上依次设置的p‑GaP层、P‑披覆层、量子阱和N‑披覆层，所述N‑披覆层上设有一N型奥姆接触金属层，所述N‑批覆层、量子阱和P‑批覆层的侧壁上设有一绝缘层，所述N型奥姆接触金属层与p‑GaP层联接并形成负电极，所述p‑GaP层与负电极的接口处形成一高阻值界面，所述外延层还包括一P型奥姆接触金属层，所述P型奥姆接触金属层与p‑GaP层连接，所述正电极与P型奥姆接触金属层电连接。