[发明专利]均匀化氮化硼涂层的制备方法在审
申请号: | 201510711019.1 | 申请日: | 2015-10-28 |
公开(公告)号: | CN105296960A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 李爱军;李琳琳;彭雨晴;白瑞成;吴彪;贾林涛;汤哲鹏 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种均匀化氮化硼涂层的制备方法。给方法以三氯化硼(BCl3)和氨气(NH3)为反应气体,通入反应器中,先在混合区混合均匀,再在沉积反应区发生表面沉积,最后将所得样品进行高温热处理,经扫描隧道显微镜(SEM)、傅立叶红外(FT-IR)和X射线衍射(XRD)检测,制备出厚度均匀、成分单一、结晶度较高的氮化硼涂层。此方法可用于复合材料中氮化硼界面的制备其它样品表面氮化硼涂层的制备,还可用于研究氮化硼气相沉积过程及机理的研究。该方法主要解决的是双组元化学气相沉积氮化硼过程中气体混合不均的问题,以提高氮化硼涂层的均匀度,更好地控制涂层厚度。 | ||
搜索关键词: | 均匀 氮化 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种均匀化氮化硼涂层的制备方法,其特征在于该方法的具体步骤为:a.将待涂样品放入沉积模具中沉积区内;通入反应气体三氯化硼、氨气;三氯化硼和氨气分别由两个进气口通入,在进入模具之前不发生接触;气体在等温混合区混合均匀;混合均匀后,气体进入沉积区,在沉积温度为300~1800℃,系统压力为1~300mbar下,发生沉积,沉积时间为0.5h~20h,最后在待涂样品表面得到均匀的氮化硼涂层;所述的三氯化硼和氨气的气体流量比为[NH3]/[BCl3]=1:1~30;b.沉积反应结束后,对所得氮化硼涂层样品进行高温热处理,热处理温度为1200~2000℃,时间为0.5h~5h,得到六方氮化硼涂层。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的