[发明专利]一种采用等离子体法制备纳米金属硅的方法

摘要

本发明提供了一种采用等离子体法制备纳米金属硅的方法，属于金属硅制备技术领域，依次包括以下步骤：制备氟化硅气体、纯化氟化硅气体以及制备纳米金属硅。该方法通过步骤A将石英砂与氢氟酸反应制备出氟化硅气体；再通过步骤B对氟化硅气体进行纯化；最后通过步骤C使经纯化后的氟化硅分子与氢气分子在等离子体的作用下进行活化并发生反应而制备出纳米金属硅。因此，与现有的改良的西门子法和冷氢化法制备金属硅相比较，采用等离子体法制备纳米金属硅的方法具有制备流程简单，易操作，能耗及生产成本低的优点；而且制备出的纳米金属硅的晶体结构完整、无晶格缺陷、粒径分布窄，无需采用破碎方式就能满足了微电子行业对电子级金属硅的质量要求。

主权项

一种采用等离子体法制备纳米金属硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：A.制备氟化硅气体：将石英砂与氢氟酸反应生成氟化硅气体；B.纯化氟化硅气体：将步骤A的所述氟化硅气体经过纯化除杂处理后，得到纯化的氟化硅气体；C.制备纳米金属硅：将步骤B的所述纯化的氟化硅气体与氢气完全混合后通入到等离子体反应器中，并在所述等离子体反应器产生的等离子体的作用下与所述氢气反应而生成纳米金属硅和氟化氢气体，分离后得到纳米金属硅。